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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STGD6M65DF2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的650V/12A沟槽型场截止IGBT，凭借其低至2V的导通压降和极低的开关能量（36J开通，200J关断），能显著降低您系统中的开关损耗和导通损耗，直接将更高的能效和更低的温升转化为产品竞争力。

它让您轻松应对工业驱动、UPS、光伏逆变器等应用中对高效率和高可靠性的严苛要求。标准输入特性和优化的开关速度（15ns/90ns），确保了驱动的简便性与系统的稳定性。采用紧凑的TO-252表面贴装封装，不仅节省空间，更便于自动化生产，助您高效完成从设计到量产的整个过程。

• 型号:STGD6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:36J（导通），200J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD6M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。