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您正在寻找一颗能扛起中高压、中电流开关重任的“核心动力”吗？STGD5NB120SZT4正是为您而来！这颗1200V/10A的IGBT，集成了ST先进的PowerMESH技术，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它凭借仅2V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更凉爽、更高效。其坚固的DPAK封装和宽广的-55°C至150°C结温范围，更能轻松应对各种恶劣环境挑战，确保长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效与可靠的双重保障。

• 型号:STGD5NB120SZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:75 W
• 开关能量:2.59mJ（导通），9mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:-
• 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1s
• 测试条件:960V，5A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD5NB120SZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。