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还在寻找一颗能同时驾驭高效与可靠的功率开关核心吗？STGB5H60DF正是您期待的答案。这颗600V/10A的沟槽场截止IGBT，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它通过极低的1.95V饱和压降和微焦耳级的开关损耗，大幅提升系统能效，让设备运行更节能、散热更轻松。快速的开关速度与稳健的TO-263封装，确保您能从容应对高频应用与紧凑空间布局的挑战，实现高效与可靠性的完美统一。

• 型号:STGB5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB5H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。