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规格参数
制造商产品型号:STGB5H60DF制造商:STMicroelectronics描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A功率-最大值:88W开关能量:56μJ(开),78.5μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:43nC25°C时Td(开/关)值:30ns/140ns测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V反向恢复时间(trr):134.5ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABSTGB5H60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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