我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGB4M65DF2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关芯片吗？STGB4M65DF2正是您的理想之选。这颗采用先进沟槽场截止技术的IGBT，拥有650V耐压和8A电流能力，其核心价值在于让您的电源转换或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通压降与优化的开关损耗，直接为您节省能源，减少散热负担。

它能让您轻松应对变频器、UPS、电焊机及光伏逆变器等应用场景。快速的开关速度（12ns开启）和低栅极电荷需求，使得驱动设计更为简化，系统响应更加敏捷。采用坚固的DPak表面贴装封装，并提供从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，确保您的产品在各种环境下都能稳定持久地工作，大幅提升最终产品的市场竞争力与可靠性口碑。

• 型号:STGB4M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
• 功率 - 最大值:68 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:15.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):133 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB4M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。