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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STGB40H65FB正是您期待的解决方案！这颗650V耐压、40A额定电流的IGBT，采用先进的沟槽场截止技术，能为您大幅降低导通损耗（Vce(on)低至2V），让电能转换更高效，热量产生更少，直接提升整机能效和可靠性。

它拥有高达283W的功率处理能力和175°C的宽工作结温范围，让您的设计从容应对峰值负载与高温环境。优化的开关特性（低栅极电荷，开关能量小）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，让您轻松实现高频率、高功率密度的紧凑型设计。无论是电机驱动、电源还是新能源应用，选择它，就是选择了一条通往高性能与高可靠性的捷径。

• 型号:STGB40H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498J（导通），363J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB40H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。