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STGB19NC60KT4 零件图片(仅供参考)

STGB19NC60KT4
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STGB19NC60KT4 规格参数

您正在寻找一颗能扛起中等功率应用大旗的“能量开关”吗?STGB19NC60KT4正是这样一位多面手。它基于意法半导体先进的PowerMESH技术,集成了IGBT的高电流密度与快速开关优势,让您能轻松驾驭高达600V电压和35A电流的功率舞台,无论是驱动电机、转换电能还是控制功率流向,都能高效、可靠地完成任务。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。它拥有低至2.75V的导通压降和优化的开关能量(165J开,255J关),能显著减少功率损耗,让您的设备运行更“冷静”,整体效率更高。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),更能确保它在各种挑战性环境中稳定运行,为您的设计提供持久的动力保障。

  • 型号:STGB19NC60KT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 开关能量:165J(导通),255J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:55 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
  • 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB19NC60KT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGB19NC60KT4 基本参数:

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