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STGB14NC60KDT4 零件图片(仅供参考)

STGB14NC60KDT4
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STGB14NC60KDT4 规格参数

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗?让STGB14NC60KDT4为您带来变革!这颗基于先进PowerMESH技术的600V/25A IGBT,是您实现高效、紧凑设计的得力助手。它凭借低至2.5V的饱和压降和优化的开关特性(82J开启,155J关断能量),能显著降低系统运行中的导通与开关损耗,直接提升您的电源或电机驱动器的整体能效,同时减轻散热负担。

它能让您轻松应对工业电机控制、UPS、光伏逆变器等应用中对高可靠性和高功率密度的严苛要求。其DPak表面贴装封装不仅节省PCB空间,更便于散热设计,结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围,确保您的产品在恶劣环境下依然稳定如初。选择STGB14NC60KDT4,就是选择了一个让设计更高效、让产品更可靠的强大内核。

  • 型号:STGB14NC60KDT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 开关能量:82J(导通),155J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:34.4 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:22.5ns/116ns
  • 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):37 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB14NC60KDT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGB14NC60KDT4 基本参数:

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