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STGB10NB37LZT4 零件图片(仅供参考)

STGB10NB37LZT4
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STGB10NB37LZT4 规格参数

您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持卓越可靠性的功率开关解决方案?STGB10NB37LZT4正是为您而来。这颗基于先进PowerMESH技术的IGBT,集440V高耐压、20A强电流与超低导通损耗于一身,让您的电机驱动、电源转换或逆变系统运行得更高效、更凉爽。

它拥有仅1.8V的低饱和压降和优化的开关特性,能显著降低导通与开关损耗,从而提升整体能效。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热能力和功率密度,让您在设计紧凑型高性能产品时更加游刃有余。选择STGB10NB37LZT4,就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而可靠的心脏。

  • 型号:STGB10NB37LZT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):440 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.8V @ 4.5V,10A
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 开关能量:2.4mJ(导通),5mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:28 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:1.3s/8s
  • 测试条件:328V,10A,1 千欧,5V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB10NB37LZT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGB10NB37LZT4 基本参数:

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