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您正在为寻找一颗能高效转换能量、驱动电机稳健运行的功率芯片而烦恼吗？STGB10M65DF2正是为您而来的解决方案！这颗650V/10A的沟槽场截止型IGBT，拥有低至2V的导通压降和极快的开关速度，能显著降低您系统中逆变或电机驱动环节的损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对从工业变频器、UPS电源到新能源逆变等多种应用场景的严苛要求。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热和机械可靠性，宽广的工作温度范围让产品无惧环境挑战。选择它，就是为您的设计选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:STGB10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB10M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。