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您正在寻找一颗能同时兼顾高效、强健与易用的功率开关芯片吗？STGB10H60DF正是您的理想之选。这颗600V/20A的沟槽场截止型IGBT，凭借仅1.95V的低导通压降，能显著降低您系统的开关损耗，直接提升整体能效，让您的电源或电机驱动方案运行得更“冷静”、更省电。

它集成了快速开关与软恢复二极管特性，开关能量低至83J (开) 和140J (关)，让您轻松实现更高频率的设计，从而减小磁性元件体积，优化系统成本与尺寸。其坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，赋予了它卓越的功率处理能力和可靠性，让您的产品在面对严苛环境时依然信心十足。

• 型号:STGB10H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:83J（导通），140J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:57 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
• 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):107 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB10H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。