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还在为驱动高压功率器件而烦恼吗？STGAP2SICSC就是您期待的答案。这颗单通道隔离栅极驱动器，集成了高达5000Vrms的电气隔离和强大的4A驱动能力，让您能安全、高效地驾驭SiC MOSFET或IGBT，轻松应对工业驱动、新能源等高压应用挑战。

它采用先进的容性耦合技术，实现了低于90ns的快速传播延迟和卓越的100V/ns共模抗扰度，确保信号传输既精准又稳定，极大提升了系统的可靠性和开关效率。宽泛的3V至5.5V输出供电电压和工业级温度范围，让您的设计更加灵活，性能更加坚韧。

• 型号:STGAP2SICSC
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:容性耦合
• 通道数:1
• 电压 - 隔离:5000Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:90ns，90ns
• 脉宽失真（最大）:20ns
• 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
• 电流 - 输出高、低:4A，4A
• 电流 - 峰值输出:4A
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
• 等级:-
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 认证机构:UL
• STGAP2SICSC，ST（意法半导体）产品一站式供应商。