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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？让意法半导体的STFW6N120K3来为您破局！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达1200V的漏源电压和6A的连续电流能力，专为要求严苛的高压开关场景设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能平衡：极低的栅极电荷（34nC）与优化的导通电阻相结合，让您轻松实现高速开关与低导通损耗，显著提升电源或电机驱动系统的整体效率。其坚固的ISOWATT封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能确保您的产品在各种环境下稳定可靠地长期运行，助您打造出更具市场竞争力的高效能设计。

• 型号:STFW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW6N120K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。