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还在寻找能轻松驾驭1700V高压平台的功率开关解决方案吗？STFW3N170正是为您而来！这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，集高耐压、低损耗与强散热于一身，让您在设计工业电源、新能源逆变器等高压应用时游刃有余。

它拥有2.6A的连续漏极电流和极低的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。优化的栅极驱动特性（驱动电压10V）和快速的开关速度，让您的控制环路设计更简单，响应更迅捷。其坚固的ISOWATT封装确保了卓越的隔离与散热性能，即使在高温环境下也能稳定工作，大幅提升产品的长期可靠性。选择STFW3N170，就是为您的核心功率级选择了一位高效、可靠的强力伙伴。

• 型号:STFW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW3N170，ST（意法半导体）产品一站式供应商。