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还在为高压大功率应用的效率与温升头疼吗？让STFW38N65M5来为您分忧！这颗来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，是专为 demanding 应用而生的能量控制专家。

它拥有650V的高耐压和30A的强大电流处理能力，能轻松应对工业电源、光伏逆变器和电机驱动中的严峻挑战。其核心价值在于极低的导通损耗与开关损耗，配合独特的ISOWATT封装带来的优异散热，让您的系统不仅运行更高效、更凉爽，还能显著提升整体可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STFW38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW38N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。