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还在为高压电路中的开关效率而纠结吗？STFW1N105K3就是您期待的答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的漏源电压和1.4A的连续漏极电流，专为应对苛刻的高压开关环境而生。

它能让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等应用。其低至11欧姆的导通电阻和仅13nC的栅极电荷，意味着更低的功率损耗和更快的开关速度，直接提升您的系统整体能效。同时，坚固的ISOWATT封装和宽广的工作温度范围，确保了它在各种复杂工况下的长期稳定运行，让您的设计既高效又省心。

• 型号:STFW1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW1N105K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。