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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STFU23N80K5正是为您而来的效率革新者！这颗800V耐压、16A电流的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh K5技术的超低导通电阻（仅280毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它集低栅极电荷与优化电容特性于一身，让您轻松实现更高频率的开关操作，同时保持卓越的开关效率。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑设计，其TO-220FP封装和宽温工作范围都能提供可靠的性能保障。选择STFU23N80K5，就是选择让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出！

• 型号:STFU23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU23N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。