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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管吗？STFU15NM65N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V耐压和12A电流能力，其超低的380毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它不仅能轻松应对-55°C至150°C的宽温工作挑战，其优化的栅极特性（Qg仅33.3nC）更能实现干净快速的开关，有效降低开关损耗，特别适合对频率和效率有严苛要求的应用。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“芯”，助力产品性能脱颖而出。

• 型号:STFU15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU15NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。