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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的核心功率开关吗？STFU13N60M2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的高耐压能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，从容应对高压环境，确保系统安全稳定运行。

它采用经典的TO-220FP封装，不仅便于安装，更提供了优异的散热性能，让芯片在高效工作时也能保持“冷静”。这意味着您可以简化散热设计，提升系统功率密度，轻松打造出更紧凑、更可靠的产品。选择STFU13N60M2，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双赢得优势。

• 型号:STFU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。