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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STFU10NK60Z正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅750毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对工业驱动、电源转换等应用中的开关挑战。优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，有助于提升系统工作频率并降低驱动损耗。无论是追求紧凑尺寸，还是苛刻的温升要求，STFU10NK60Z凭借其TO-220FP封装和宽工作温度范围，都能提供稳定可靠的性能表现，是您提升产品竞争力的得力助手。

• 型号:STFU10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU10NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。