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还在为高压大电流应用中的效率与发热问题头疼吗？让STFILED627来为您彻底解决！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您实现高效电能控制的得力助手。

它拥有620V的高耐压和7A的强电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅1.2欧姆@10V），能显著减少开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷（35nC）让开关速度更快，进一步提升了整体能效。

采用坚固的TO-281通孔封装，散热性能优异，工作结温高达150°C，确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是开发新一代服务器电源、工业变频器，还是新能源设备，选择STFILED627，就是为您的设计注入了强劲、高效与耐用的核心动力。

• 制造商产品型号：STFILED627
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 7A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
• STFILED627，ST（意法半导体）产品一站式供应商。