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还在为高压开关电源的效率和可靠性头疼吗？让STFI5N80K5来为您分忧！这颗源自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道MOSFET，集800V高耐压、4A电流能力与超低导通电阻于一身，能显著降低您的电源模块在开关和传导过程中的能量损耗。

它能让您的设计轻松应对PFC、反激式转换器等高压场景，实现更高能效和更小的温升。优异的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关动作，让系统运行更稳定、更安静。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。

• 型号:STFI5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI5N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。