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还在寻找那颗能同时兼顾高压、大电流与高效开关的“心脏”吗？STFI34N65M5正是您期待的答案。这颗650V/28A的N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，旨在让您的电源和电机驱动设计轻松跃入高效能新境界。

它的核心价值在于“高效转化，冷静运行”。超低的导通电阻与栅极电荷，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升系统整体效率，并降低散热需求。这意味着您可以设计出更紧凑、更可靠的设备，同时满足严苛的能效标准。其坚固的I2PAKFP通孔封装，确保了出色的功率处理能力和长期稳定性。

简而言之，STFI34N65M5让您能够以更少的损耗，控制更大的功率，是工业电源、新能源逆变及高端电机控制等应用的理想高效开关解决方案。

• 型号:STFI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。