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您正在寻找一颗能扛起高效功率转换重任的“核心引擎”吗？STFI31N65M5正是为此而生。这颗650V/22A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh V技术，旨在让您的电源设计突破效率极限。其关键优势在于极低的导通损耗和优异的开关性能，能显著降低系统发热，提升整体能效。

具体而言，它能在10V驱动电压下实现仅148毫欧的低导通电阻，并结合优化的栅极电荷，确保高速开关的同时减少驱动损耗。这直接意味着，在服务器电源、工业驱动或光伏逆变器等应用中，您能轻松构建出更紧凑、更凉爽、运行更稳定的电源模块。其坚固的I2PAKFP通孔封装和宽工作温度范围，进一步保障了它在苛刻环境下的长期可靠运行，是您打造高品质电力电子产品的得力伙伴。

• 型号:STFI31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI31N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。