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当您的设计需要应对高达950V的电压挑战时，STFI15N95K5就是您可靠的功率开关核心。这颗N沟道MOSFET能轻松承载7.5A的连续电流，让您在开发服务器电源、工业驱动或新能源逆变器时，拥有充沛的功率处理能力。

它采用了ST先进的MDmesh K5技术，在10V驱动电压下，实现了低至500毫欧的优异导通电阻，同时保持了极低的栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，并简化散热设计。其坚固的I2PAKFP封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），更能确保您的产品在各种环境下稳定、高效地长期运行。

• 型号:STFI15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:855 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。