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还在为寻找一颗能兼顾高耐压与低损耗的功率开关而烦恼吗？STFI13N65M2正是为您解决这一核心难题的利器。它基于ST先进的MDmesh M2技术，为您带来650V高耐压和10A大电流承载能力，同时将导通电阻降至惊人的430毫欧，这意味着它能显著降低开关和导通过程中的能量损耗，直接提升您整个电源或驱动系统的效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源设计更高效、更紧凑，让电机驱动运行更平稳、发热更少，让工业照明系统更可靠、寿命更长。其优化的栅极电荷（Qg仅17nC）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，从而简化您的驱动电路设计。选择它，就是选择让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。

• 型号:STFI13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。