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您正在寻找一颗能大幅提升高压电路效率与可靠性的核心开关器件吗？STFI10NK60Z正是您理想的答案。它集成了意法半导体先进的SuperMESH技术，在高达600V的电压和10A的电流下，依然能保持极低的导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的能量转换。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合对效率有苛刻要求的开关电源和功率校正电路。坚固的封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种挑战性环境下的长期稳定表现，是您构建高性能、高可靠性电力电子系统的坚实基石。

• 型号:STFI10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。