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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STFI10N62K3来为您轻松化解。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和8.4A的强劲电流能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的栅极电荷和优化的导通电阻，能显著降低您的系统在开关和导通过程中的能量损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。其坚固的I2PAKFP封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），更能确保它在各种复杂环境下稳定可靠地工作，是您打造高性能、高可靠性电源方案的得力助手。

• 型号:STFI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。