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还在寻找那颗能平衡高性能与高可靠性的功率开关吗？STFH10N60M6就是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和6.4A的强劲电流处理能力，核心搭载意法半导体先进的MDmesh M6技术，能为您带来极低的导通与开关损耗。

这意味着，在您的电源、电机驱动或照明应用中，它能显著提升整体能效，让系统运行更凉爽、更安静。其优化的动态特性让您轻松实现更高频率的设计，从而缩减外围元件体积与成本。选择STFH10N60M6，就是选择让您的产品在效率、可靠性和功率密度上全面领先。

• 型号:STFH10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH10N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。