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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STF9NK80Z来为您分忧。这颗基于SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和7.5A的电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动设计。它能帮助您轻松实现高效的能量转换，显著降低系统功耗与温升。

得益于其优化的1.2欧姆导通电阻和低栅极电荷特性，STF9NK80Z让您的设计在开关速度和传导损耗之间取得最佳平衡。这不仅意味着更高的整体效率，也简化了您的热管理设计。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定可靠地运行，是提升产品性能和耐用性的高效之选。

• 型号:STF9NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。