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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持系统简洁可靠的功率开关管吗？STF9HN65M2正是为您而来。这颗650V/5.5A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh M2技术，其核心价值在于极低的导通损耗和出色的开关性能。它能让您的电源设计轻松实现更高的转换效率，有效降低工作温升，从而提升整个系统的长期可靠性。

得益于其优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，STF9HN65M2能够实现快速、干净的开关动作。这不仅减少了开关损耗，也让驱动电路设计更为简单高效。无论是用于反激式转换器、LED驱动还是辅助电源，它都能帮助您以更优的成本，构建出更紧凑、更高效的解决方案，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STF9HN65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9HN65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。