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想象一下，在您的电源或电机控制板卡中，一颗芯片就能稳健地掌控900V的高压舞台，同时以高达8A的电流顺畅通行。STF8N90K5正是这样一位“高效能指挥官”。它基于ST先进的MDmesh K5超结技术，核心使命就是为您大幅降低导通损耗，将更多的电能转化为有用的输出，从而轻松提升整个系统的能源效率。

这颗N沟道MOSFET拥有卓越的快速开关特性，能帮助您的设计减少开关损耗，尤其适合追求高频和高效率的应用场景。其坚固的TO-220FP封装和130W的功率处理能力，确保了它在严苛环境下的长期稳定运行。选择STF8N90K5，就是为您的工业电源、电机驱动或UPS系统选择一个可靠、高效的动力核心，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STF8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。