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还在为功率转换中的损耗和发热问题头疼吗？让STF80N10F7来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，是专为高效开关应用而生的利器。它能轻松承载高达40A的连续电流，并凭借低至10毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或DC-DC电路运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET VII技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）仅45nC，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力（最大30W），让您在设计高功率密度应用时更有信心。选择STF80N10F7，就是选择让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STF80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF80N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。