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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的功率开关吗？STF7N52DK3就是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有525V的漏源电压和6A的连续电流能力，专为 demanding 的高压应用而优化。

它能让您的电源设计焕然一新。得益于SuperFREDmesh3技术，其低至1.15欧姆的导通电阻和仅33nC的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，从而轻松提升系统整体效率。无论是用于开关电源、PFC电路还是电机驱动，它都能确保高效、稳定的功率切换。

此外，高达150°C的工作结温和25W的功率处理能力，赋予了它卓越的热性能与可靠性，让您的产品在面对复杂工况时更具信心。选择STF7N52DK3，就是选择了一个经久耐用、性能出众的电力核心。

• 型号:STF7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N52DK3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。