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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的开关管吗？STF6NM60N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和4.6A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh II技术能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它凭借优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，能实现干净利落的快速开关，极大简化您的驱动电路设计，并有效抑制电磁干扰。无论是用于工业电源、LED驱动还是各类适配器，它都能让您轻松构建出稳定、安静且能效出众的功率转换方案，全面提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STF6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。