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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的600V功率开关吗？STF6N60M2正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术，为您带来低至1.2欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松处理高达4.5A的连续电流，并拥有600V的漏源击穿电压，为您的中小功率设计提供充裕的安全余量和稳定的性能输出。其TO-220FP封装不仅坚固可靠，更提供了优异的散热能力，让您在设计散热系统时更加游刃有余。选择STF6N60M2，就是选择了一个经过优化、值得信赖的功率核心，助您快速将高效、紧凑且可靠的产品推向市场。

• 型号:STF6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。