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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的核心开关吗？STF60N55F3正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，凭借仅8.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，效率显著提升，直接帮助您节省能源并简化散热设计。

它拥有55V/42A的稳健功率处理能力，结合优化的开关特性（低栅极电荷Qg），让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而推动整个电源系统向更小体积、更轻重量的方向发展。无论是提升电动工具的爆发力，还是确保工业设备的稳定运行，它都能可靠胜任，助您打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STF60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF60N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。