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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的功率器件吗？STF5N95K3正是为您而来。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的高耐压和4A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或工业控制设备时，从容应对高压挑战。

它通过极低的导通电阻和优化的动态参数，显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。优异的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合宽广的工作温度范围，让您的产品在各种环境下都稳定运行，大幅提升最终产品的可靠性和市场竞争力。

• 型号:STF5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。