我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF5N52K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STF5N52K3来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您实现高效能量控制的秘密武器。

它拥有525V的高耐压和4.4A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅1.5欧姆@10V），能显著减少开关和传导损耗，直接提升您的电源整体效率。同时，其快速的开关特性和较低的栅极电荷，让您能设计出频率更高、体积更小的电源方案。无论是构建紧凑的适配器、高效的LED驱动器，还是稳定的工业电源，它都能让您的设计更高效、更可靠。

采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在持续高功率输出下也能稳定工作。选择STF5N52K3，就是选择了一个久经考验的高性能解决方案，助您轻松攻克功率转换挑战。

• 型号:STF5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。