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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时还能保持极高效率的功率开关吗？STF57N65M5正是为此而生。这颗基于先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和42A的强大电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机驱动和功率转换应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“轻松”。超低的导通电阻（典型值63毫欧）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷特性则带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。这两者结合，能显著提升整体能效，让您的设备发热更少、运行更稳定。TO-220FP封装确保了出色的散热能力，轻松应对高达40W的功率耗散。

选择STF57N65M5，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“心脏”。它不仅能帮助您满足日益严格的能效标准，更能通过提升功率密度和可靠性，让您的设计在竞争中脱颖而出。

• 型号:STF57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。