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还在为高压开关电路中的效率与发热问题烦恼吗？让STF4NK50ZD来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，集500V高耐压与3A持续电流能力于一身，采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻与开关损耗。

它能让您的电源转换或电机驱动设计变得更加高效和可靠。极低的栅极电荷让开关动作干净利落，而TO-220FP封装则确保了出色的散热性能。选择它，您将轻松获得更低的系统温升、更高的能源利用效率，以及更简化的热管理设计，从而全面提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STF4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4NK50ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。