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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，又能保持极低损耗的“强力心脏”？STF43N60DM2正是您理想的答案。这颗N沟道功率MOSFET基于ST先进的MDmesh DM2技术打造，拥有600V的坚固耐压和高达34A的连续电流处理能力，让您在设计高功率应用时信心十足。

它的核心价值在于卓越的效率。其导通电阻低至93毫欧，能显著降低导通状态下的能量损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，进一步减少了开关损耗。这意味着，无论是用于开关电源、电机控制还是照明系统，它都能让您的设备运行得更凉爽、更节能，轻松满足日益严苛的能效标准。

采用坚固的TO-220FP封装，它提供了出色的功率耗散能力，确保在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。选择STF43N60DM2，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力，让复杂的设计挑战变得简单高效。

• 型号:STF43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF43N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。