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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STF40N65M2正是为您而来！这颗650V/32A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh M2技术，其核心使命就是大幅降低功耗。它拥有极低的导通电阻和优化的动态参数，能显著减少开关过程中的能量损失，让您的电源转换或电机驱动系统效率更高，发热更少。

这意味着，您可以轻松构建出更紧凑、更可靠的电源模块、UPS系统或工业变频器。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热能力，而高达150°C的结温工作范围，则赋予了产品应对恶劣环境与过载情况的强大韧性。选择它，就是为您的核心电路选择一个高效、冷静且值得信赖的“能量指挥官”。

• 型号:STF40N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF40N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。