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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持超低损耗的“能量开关”吗？STF40N60M2正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和34A的强大电流通过能力，核心使命就是让您的电源转换系统运行得更冷静、更高效。

它采用了业界领先的MDmesh II Plus技术，将导通电阻显著降低至仅88毫欧。这意味着电流通过时的能量损耗被大幅削减，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机驱动，它都能让您轻松实现更紧凑的设计和更优的能效表现，是提升产品市场竞争力的理想动力核心。

• 型号:STF40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF40N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。