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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关应用，同时保持高效与低温运行的功率MOSFET吗？STF3NK80Z正是您的理想之选。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和2.5A的连续电流能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时信心十足。

它通过优化的技术，实现了更低的栅极电荷和导通电阻，这意味着它能以更快的速度开关，同时减少导通损耗，直接提升您的系统效率，并让热管理变得更加轻松。采用坚固的TO-220FP封装，确保出色的功率耗散能力和安装可靠性，宽达-55°C至150°C的工作温度范围，更能陪伴您的产品应对各种严苛环境挑战。

• 型号:STF3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。