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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF36N60M6正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh M6技术，集600V高耐压与30A大电流能力于一身，却拥有惊人的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

这颗芯片的卓越之处在于其动态性能。优化的开关特性让您能够轻松实现更高频率的设计，从而减小被动元件的体积和成本。其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围，确保它在各种苛刻环境下都能稳定可靠地工作。选择STF36N60M6，就是选择了一个能提升产品整体性能、简化散热设计并增强系统可靠性的强大核心。

• 型号:STF36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。