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您正在寻找一颗能轻松驾驭650V高压平台，同时保持极低损耗的功率开关吗？STF35N65M5 N沟道MOSFET正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，为您提供高达27A的电流处理能力和低至98毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计高压开关电源、工业逆变器或PFC（功率因数校正）电路时充满信心。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，不仅提升了整体能效，还简化了驱动电路设计。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，结温高达150°C，保障了系统在苛刻环境下的长期稳定运行。

• 型号:STF35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF35N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。