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您正在寻找一颗能同时征服高效率与高功率密度挑战的功率开关吗？STF35N65DM2正是为此而生。这颗650V/32A的N沟道MOSFET，基于意法半导体先进的MDmesh DM2技术，让您轻松实现更低的导通损耗和开关损耗。其优化的动态特性，意味着您的电源或电机驱动系统能够运行得更安静、更凉爽，整体能效显著提升。

凭借高达40W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，STF35N65DM2为您提供了强大的鲁棒性和设计裕度。无论是面对工业环境的严苛考验，还是追求消费类产品的紧凑设计，它都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的核心，助力您快速将卓越创意转化为市场领先的现实。

• 制造商产品型号：STF35N65DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110毫欧 @ 16A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：56.3nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2540pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF35N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。