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还在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流且保持冷静高效的功率开关吗？STF34NM60ND正是您的理想之选。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和29A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅110毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用的便捷与可靠。优化的栅极电荷特性让驱动设计变得轻松，而TO-220FP封装和强大的散热能力（40W功率耗散）则确保了在高负荷下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入了持久动力与能效优势。

• 型号:STF34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF34NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。