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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF34NM60N正是为此而生。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和31.5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗与优化的动态性能。

它能为您做什么？它让您轻松构建更高效、更可靠的电源与电机驱动系统。高达40W的功率耗散能力和优异的散热封装，确保了它在高负载下的稳定运行；而低至105毫欧的导通电阻和精心优化的栅极电荷，直接转化为更低的能量损耗和更快的开关速度，帮助您的终端产品提升能效，减少发热，从而延长使用寿命并降低系统总成本。

• 型号:STF34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF34NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。