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还在为功率转换系统的损耗和发热问题烦恼吗？STF34N65M5 N沟道MOSFET正是为您的高效设计而来。它集成了意法半导体先进的MDmesh V技术，拥有650V的高耐压和28A的强大电流处理能力，核心导通电阻低至110毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS等对效率和可靠性要求极高的场景。其优化的栅极电荷特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统功率密度。选择它，就是选择了一个经得起时间考验的稳健性能核心。

• 型号:STF34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。